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Référence fabricant | BYM13-60HE3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM13-60HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM13-60HE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF |
Package d'appareils du fournisseur | GL41 (DO-213AB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-60HE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM13-60HE3/96-FT |
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel