maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM13-40HE3/96
Référence fabricant | BYM13-40HE3/96 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYM13-40HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM13-40HE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF |
Package d'appareils du fournisseur | GL41 (DO-213AB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-40HE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM13-40HE3/96-FT |
BAS20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel