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Référence fabricant | BYG20J M2G |
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Numéro de pièce future | FT-BYG20J M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG20J M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20J M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG20J M2G-FT |
US1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LGHR3G
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ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel