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Référence fabricant | BYG20G-E3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG20G-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG20G-E3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG20G-E3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG20G-E3/TR-FT |
RS1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10Y-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRA140TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel