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Référence fabricant | BYG10Y-E3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10Y-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG10Y-E3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10Y-E3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10Y-E3/TR-FT |
SGL41-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-50HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-20/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-40-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
SGL41-60-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel