maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BY229B-600HE3/81
Référence fabricant | BY229B-600HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-BY229B-600HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BY229B-600HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.85V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 145ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BY229B-600HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BY229B-600HE3/81-FT |
10ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel