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Référence fabricant | 10ETF10S |
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Numéro de pièce future | FT-10ETF10S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
10ETF10S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 310ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETF10S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 10ETF10S-FT |
VS-10TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division