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Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1

Name: BUZ30AH3045AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ30AH3045AATMA1
Price: 0.901624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (800 reviews)

Numéro de pièce MFG: BUZ30AH3045AATMA1

quantité disponible: 30170 Pièces

Prix de référence: USD 0.901624

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BUZ30AH3045AATMA1.pdf

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BUZ30AH3045AATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BUZ30AH3045AATMA1
Numéro de pièce future	FT-BUZ30AH3045AATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
BUZ30AH3045AATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ30AH3045AATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BUZ30AH3045AATMA1-FT

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