maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9GTHP-55PJTR,51
Référence fabricant | BUK9GTHP-55PJTR,51 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9GTHP-55PJTR,51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BUK9GTHP-55PJTR,51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 28-SO |
Paquet / caisse | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9GTHP-55PJTR,51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9GTHP-55PJTR,51-FT |
SI4688DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4688DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4712DY-T1-GE3
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SI4752DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4774DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4778DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4778DY-T1-GE3
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SI4812BDY-T1-E3
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SI4812BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4823DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel