maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4823DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4823DY-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4823DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LITTLE FOOT® |
SI4823DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4823DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4823DY-T1-E3-FT |
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
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EP20K600EBC652-1X
Intel