maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / BU2006-E3/45
Référence fabricant | BU2006-E3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BU2006-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BU2006-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, BU |
Package d'appareils du fournisseur | isoCINK+™ BU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU2006-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BU2006-E3/45-FT |
70MT160PB
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35MT120PB
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3512A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2512A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3510A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2510A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2508A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3506A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3504A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2506A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel