maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VS-GBPC2512A
Référence fabricant | VS-GBPC2512A |
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Numéro de pièce future | FT-VS-GBPC2512A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-GBPC2512A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-A |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC-A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GBPC2512A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-GBPC2512A-FT |
DF10SA-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF01S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF04S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF005S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF005SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF04S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1502S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1504S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF1508S-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
EDF1BS-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel