maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BTS121AE3045ANTMA1
Référence fabricant | BTS121AE3045ANTMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BTS121AE3045ANTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS121AE3045ANTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 95W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS121AE3045ANTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS121AE3045ANTMA1-FT |
2SK3943-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-E
ON Semiconductor
64-2092PBF
Infineon Technologies
94-2110
Infineon Technologies
94-2113
Infineon Technologies
94-2310
Infineon Technologies
94-2386
Infineon Technologies