maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSZ086P03NS3GATMA1
Référence fabricant | BSZ086P03NS3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ086P03NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ086P03NS3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ086P03NS3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ086P03NS3GATMA1-FT |
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