maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF7820PBF
Référence fabricant | IRF7820PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF7820PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7820PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7820PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7820PBF-FT |
IRF7468PBF
Infineon Technologies
IRF7468TR
Infineon Technologies
IRF7469
Infineon Technologies
IRF7469PBF
Infineon Technologies
IRF7469TRPBF
Infineon Technologies
IRF7470PBF
Infineon Technologies
IRF7470TR
Infineon Technologies
IRF7471PBF
Infineon Technologies
IRF7471TR
Infineon Technologies
IRF7471TRPBF
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel