maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS138AKAR
Référence fabricant | BSS138AKAR |
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Numéro de pièce future | FT-BSS138AKAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSS138AKAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.51nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300mW (Ta), 1.06W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138AKAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS138AKAR-FT |
PHB176NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB18NQ10T,118
Nexperia USA Inc.
PHB193NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB20NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PHB222NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB225NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB23NQ10LT,118
NXP USA Inc.
PHB29N08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB38N02LT,118
NXP USA Inc.
PHB55N03LTA,118
NXP USA Inc.
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel