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Référence fabricant | PHB29N08T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHB29N08T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHB29N08T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 27A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 11V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 14A, 11V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB29N08T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHB29N08T,118-FT |
BUK7608-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7609-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7610-55AL,118
Nexperia USA Inc.
BUK7611-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7613-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7614-55,118
NXP USA Inc.
BUK7614-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7615-100A,118
NXP USA Inc.
BUK76150-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7616-55A,118
NXP USA Inc.
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel