maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP300 E6327
Référence fabricant | BSP300 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BSP300 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSP300 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP300 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP300 E6327-FT |
IPU50R950CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K0CEAKMA1
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IPU60R1K0CEAKMA2
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IPU60R2K0C6AKMA1
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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