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Infineon Technologies BSO615NGHUMA1
- Numéro de pièce MFG
- BSO615NGHUMA1
- quantité disponible
- 18840 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.356664
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- BSO615NGHUMA1.pdf
BSO615NGHUMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | BSO615NGHUMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-BSO615NGHUMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | SIPMOS® |
| BSO615NGHUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Puissance - Max | 2W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSO615NGHUMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | BSO615NGHUMA1-FT |
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