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Infineon Technologies BSO615NGHUMA1

Name: BSO615NGHUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO615NGHUMA1
Price: 0.356664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (240 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSO615NGHUMA1

quantité disponible: 18840 Pièces

Prix de référence: USD 0.356664

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSO615NGHUMA1.pdf

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BSO615NGHUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSO615NGHUMA1
Numéro de pièce future	FT-BSO615NGHUMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
BSO615NGHUMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	PG-DSO-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO615NGHUMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSO615NGHUMA1-FT

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