maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTMFD4C86NT1G
Référence fabricant | NTMFD4C86NT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NTMFD4C86NT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTMFD4C86NT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.3A, 18.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1153pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFD4C86NT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMFD4C86NT1G-FT |
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