maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM50GD170DLBOSA1
Référence fabricant | BSM50GD170DLBOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM50GD170DLBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM50GD170DLBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD170DLBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM50GD170DLBOSA1-FT |
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
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APTGT75A120D1G
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5SGSED6N2F45I3L
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A1010B-PL44C
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
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EP1AGX60DF780I6N
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