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APTGT50H60T2G Image

Microsemi Corporation APTGT50H60T2G

Numéro de pièce MFG
APTGT50H60T2G
quantité disponible
84370 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOD IGBT 600V 80A SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGT50H60T2G.pdf
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APTGT50H60T2G Caractéristiques

Référence fabricant APTGT50H60T2G
Numéro de pièce future FT-APTGT50H60T2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGT50H60T2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP2
Package d'appareils du fournisseur SP2
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT50H60T2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGT50H60T2G-FT

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