maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM50GD120DN2G
Référence fabricant | BSM50GD120DN2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSM50GD120DN2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM50GD120DN2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 78A |
Puissance - Max | 400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 33nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM50GD120DN2G-FT |
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-3
Intel
5SGXEA4K3F40C4N
Intel
M2GL060-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX70HF35C4N
Intel