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BSM50GD120DN2G Image

Infineon Technologies BSM50GD120DN2G

Numéro de pièce MFG
BSM50GD120DN2G
quantité disponible
19150 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSM50GD120DN2G.pdf
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BSM50GD120DN2G Caractéristiques

Référence fabricant BSM50GD120DN2G
Numéro de pièce future FT-BSM50GD120DN2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BSM50GD120DN2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 78A
Puissance - Max 400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) -
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 33nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM50GD120DN2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSM50GD120DN2G-FT

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