maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Référence fabricant | BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
Puissance - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT |
APTGT50DSK60T3G
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APTGT75A120D1G
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AGLN060V5-ZVQ100
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EPF6016ATI100-2N
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EP3SL50F484I4N
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EP3CLS150F484I7N
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5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation