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Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Name: BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Price: 107.52 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (321 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSM50GD120DN2E3226BOSA1

quantité disponible: 44160 Pièces

Prix de référence: USD 107.52

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Numéro de pièce future	FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type IGBT	-
Configuration	Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	50A
Puissance - Max	350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	3.3nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT

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