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Référence fabricant | BSM50GB170DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM50GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM50GB170DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 72A |
Puissance - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GB170DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM50GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
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EP3SE260F1517I4L
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A42MX24-TQG176I
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Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
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