maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM35GP120GBOSA1
Référence fabricant | BSM35GP120GBOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM35GP120GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM35GP120GBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45A |
Puissance - Max | 230W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.5nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GP120GBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM35GP120GBOSA1-FT |
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YU484C8G
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EP3CLS70U484C7
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10CL006YE144C8G
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XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
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5AGXMA7G4F35C5N
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EPF8636AQC208-2
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