maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM35GP120GBOSA1
Référence fabricant | BSM35GP120GBOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM35GP120GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM35GP120GBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45A |
Puissance - Max | 230W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.5nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GP120GBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM35GP120GBOSA1-FT |
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
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A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel