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APTGT50DA170D1G Image

Microsemi Corporation APTGT50DA170D1G

Numéro de pièce MFG
APTGT50DA170D1G
quantité disponible
87220 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 1700V 70A 310W D1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGT50DA170D1G.pdf
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APTGT50DA170D1G Caractéristiques

Référence fabricant APTGT50DA170D1G
Numéro de pièce future FT-APTGT50DA170D1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGT50DA170D1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Puissance - Max 310W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 6mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse D1
Package d'appareils du fournisseur D1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT50DA170D1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGT50DA170D1G-FT

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