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Référence fabricant | BSM35GD120DN2 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM35GD120DN2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM35GD120DN2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
Puissance - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DN2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM35GD120DN2-FT |
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
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APTGT50A170D1G
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APTGT50A60T1G
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APTGT50DA120D1G
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APTGT50DA170D1G
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APTGT50DA170T1G
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EPF10K30ATC144-3N
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ICE40HX1K-VQ100
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10AX048H2F34I2SG
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5SGSED6N2F45I3L
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A1010B-PL44C
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
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EP1AGX60DF780I6N
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