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BSM35GD120DN2 Image

Infineon Technologies BSM35GD120DN2

Numéro de pièce MFG
BSM35GD120DN2
quantité disponible
99710 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSM35GD120DN2.pdf
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BSM35GD120DN2 Caractéristiques

Référence fabricant BSM35GD120DN2
Numéro de pièce future FT-BSM35GD120DN2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BSM35GD120DN2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT NPT
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Courant - Coupure Collecteur (Max) -
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM35GD120DN2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSM35GD120DN2-FT

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