maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM35GD120DLCE3224BOSA1
Référence fabricant | BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM35GD120DLCE3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Puissance - Max | 280W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 80µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM35GD120DLCE3224BOSA1-FT |
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
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APTGT50A1202G
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APTGT50A120D1G
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APTGT50A120TG
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APTGT50A170D1G
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APTGT50A60T1G
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APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
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M1A3PE3000-PQG208I
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10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
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EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel