maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM200GB120DN2HOSA1
Référence fabricant | BSM200GB120DN2HOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSM200GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM200GB120DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 290A |
Puissance - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 4mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GB120DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM200GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation