maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT30A170D1G
Référence fabricant | APTGT30A170D1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT30A170D1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT30A170D1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45A |
Puissance - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT30A170D1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT30A170D1G-FT |
APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50A120TG
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