maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC110N15NS5ATMA1
Référence fabricant | BSC110N15NS5ATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSC110N15NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC110N15NS5ATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 76A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 91µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2770pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC110N15NS5ATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC110N15NS5ATMA1-FT |
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation