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Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1

Name: BSC018NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSIATMA1
Price: 0.46816 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (758 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC018NE2LSIATMA1

quantité disponible: 31920 Pièces

Prix de référence: USD 0.46816

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC018NE2LSIATMA1.pdf

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BSC018NE2LSIATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSC018NE2LSIATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSC018NE2LSIATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC018NE2LSIATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 12V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC018NE2LSIATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC018NE2LSIATMA1-FT

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