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Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

Name: BSB056N10NN3GXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB056N10NN3GXUMA1
Price: 1.248952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (443 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSB056N10NN3GXUMA1

quantité disponible: 12310 Pièces

Prix de référence: USD 1.248952

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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BSB056N10NN3GXUMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSB056N10NN3GXUMA1
Numéro de pièce future	FT-BSB056N10NN3GXUMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSB056N10NN3GXUMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A (Ta), 83A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse	3-WDSON
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB056N10NN3GXUMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSB056N10NN3GXUMA1-FT

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