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Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

Name: BSB012N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012N03LX3 G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (336 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSB012N03LX3 G

quantité disponible: 25250 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSB012N03LX3 G.pdf

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BSB012N03LX3 G Caractéristiques

Référence fabricant	BSB012N03LX3 G
Numéro de pièce future	FT-BSB012N03LX3 G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	39A (Ta), 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse	3-WDSON
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSB012N03LX3 G-FT

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