maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSB012N03LX3 G
Référence fabricant | BSB012N03LX3 G |
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Numéro de pièce future | FT-BSB012N03LX3 G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSB012N03LX3 G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paquet / caisse | 3-WDSON |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB012N03LX3 G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSB012N03LX3 G-FT |
IPT65R195G7XTMA1
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