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Référence fabricant | BS7067N06LS3G |
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Numéro de pièce future | FT-BS7067N06LS3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BS7067N06LS3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 14A (Ta), 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS7067N06LS3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BS7067N06LS3G-FT |
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