maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / BRL2012T2R2M
Référence fabricant | BRL2012T2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-BRL2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BR, L Type |
BRL2012T2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 550mA |
Courant - Saturation | 600mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 390 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 200MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRL2012T2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BRL2012T2R2M-FT |
NRV2010TR47NGF
Taiyo Yuden
NRV2010TR47NGFV
Taiyo Yuden
NRV2012T2R2MGF
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NRV2012T2R2MGFV
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MDPK5050T2R2MM
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MDPK5050T3R3MM
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MDPK5050T100MM
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MDPK5050T1R0MM
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MDPK5050T6R8MM
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel