maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / NRV2012T2R2MGFV
Référence fabricant | NRV2012T2R2MGFV |
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Numéro de pièce future | FT-NRV2012T2R2MGFV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NR, V Type |
NRV2012T2R2MGFV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | 1.6A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 154.8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRV2012T2R2MGFV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRV2012T2R2MGFV-FT |
NRS6014T4R7MMGGV
Taiyo Yuden
NRS6014T6R8MMGGV
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
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AX1000-FG676
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EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
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