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Référence fabricant | BRCB008GWZ-3E2 |
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Numéro de pièce future | FT-BRCB008GWZ-3E2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BRCB008GWZ-3E2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-XFBGA, CSPBGA |
Package d'appareils du fournisseur | UCSP30L1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRCB008GWZ-3E2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BRCB008GWZ-3E2-FT |
BR25G640FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25H010FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H020FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H160FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H256FJ-2ACE2
Rohm Semiconductor
BR35H640FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93A66RFJ-WME2
Rohm Semiconductor
BR93G86FJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel