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Référence fabricant | BR25L010FVJ-WE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR25L010FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25L010FVJ-WE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (128 x 8) |
Fréquence d'horloge | 5MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP-J |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L010FVJ-WE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25L010FVJ-WE2-FT |
BR24T128FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L320F-WE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
MR44V064BMAZAATL
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR24G01FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor