maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BR25G640F-3GE2
Référence fabricant | BR25G640F-3GE2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BR25G640F-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25G640F-3GE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 20MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.6V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G640F-3GE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25G640F-3GE2-FT |
S40410161B1B1W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B1W013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2I013
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W010
Cypress Semiconductor Corp
S40410161B1B2W013
Cypress Semiconductor Corp
LHF00L30
Sharp Microelectronics
LHF00L29
Sharp Microelectronics
LHF00L28
Sharp Microelectronics
LHF00L15
Sharp Microelectronics