maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / S40410161B1B2I010
Référence fabricant | S40410161B1B2I010 |
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Numéro de pièce future | FT-S40410161B1B2I010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | e.MMC 1B1 |
S40410161B1B2I010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-LBGA (14x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S40410161B1B2I010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S40410161B1B2I010-FT |
NAND256W3A0AN6
STMicroelectronics
NAND256W3A0AN6E
STMicroelectronics
NAND256W3A0AN6F
STMicroelectronics
NAND256W3A2BN6F
STMicroelectronics
NAND256W4A0AN6E
STMicroelectronics
NAND512W3A0AN6
STMicroelectronics
NAND512W3A0AN6E
STMicroelectronics
NAND512W3A2BN6E
STMicroelectronics
NAND512W3A2BN6F
STMicroelectronics
W19B320ABT7H
Winbond Electronics
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel