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Référence fabricant | BR24T08FV-WE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR24T08FV-WE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR24T08FV-WE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.6V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SSOPB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24T08FV-WE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR24T08FV-WE2-FT |
BR25S320FV-WE2
Rohm Semiconductor
BR24G02FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR24G256FVT-3AGE2
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BR24G512FVT-3AGE2
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BR24L01AFVT-WE2
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BR24S128FVT-WE2
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BR24S64FVT-WE2
Rohm Semiconductor
A3P400-1FGG256
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M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
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