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Référence fabricant | BR24G02FVT-3GE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR24G02FVT-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR24G02FVT-3GE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 400kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.6V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24G02FVT-3GE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR24G02FVT-3GE2-FT |
BR25H010FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25H040FJ-WCE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FJ-WCE2
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BR25H160FJ-WCE2
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BR25L010FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L040FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR25L080FJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR93L56FJ-WE2
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BR93L56RFJ-WE2
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LCMXO2-640ZE-1TG100I
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EP3SE50F484C2
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EP4CE115F23I8L
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LFXP3E-4Q208I
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LCMXO2-4000HC-6FG484I
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LCMXO3L-640E-6MG121I
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EP3SE110F780C2N
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EP20K100BC356-2N
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EP4SGX360FF35C4
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