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Infineon Technologies BG3130E6327HTSA1

Numéro de pièce MFG
BG3130E6327HTSA1
quantité disponible
79120 Pièces
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USD 0
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BG3130E6327HTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant BG3130E6327HTSA1
Numéro de pièce future FT-BG3130E6327HTSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BG3130E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 N-Channel (Dual)
La fréquence 800MHz
Gain 24dB
Tension - Test 5V
Note actuelle 25mA
Figure de bruit 1.3dB
Courant - Test 14mA
Puissance - sortie -
Tension - nominale 8V
Paquet / caisse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT363-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BG3130E6327HTSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BG3130E6327HTSA1-FT

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