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Référence fabricant | AFT18P350-4S2LR6 |
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Numéro de pièce future | FT-AFT18P350-4S2LR6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AFT18P350-4S2LR6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 1.81GHz |
Gain | 16.1dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1A |
Puissance - sortie | 63W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | NI-1230-4LS2L |
Package d'appareils du fournisseur | NI-1230-4LS2L |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT18P350-4S2LR6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AFT18P350-4S2LR6-FT |
BF245A
ON Semiconductor
BF245B
ON Semiconductor
BF256A
ON Semiconductor
BF256AG
ON Semiconductor
J309
ON Semiconductor
J309G
ON Semiconductor
J310
ON Semiconductor
J310G
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel