maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR193E6327HTSA1
Référence fabricant | BFR193E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFR193E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR193E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 10dB ~ 15dB |
Puissance - Max | 580mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR193E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR193E6327HTSA1-FT |
BFP843H6327XTSA1
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BFP182WH6327XTSA1
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5SGXEA9K2H40C2N
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XC4020XL-09BG256C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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