maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR 182 B6663
Référence fabricant | BFR 182 B6663 |
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Numéro de pièce future | FT-BFR 182 B6663 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR 182 B6663 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 12dB ~ 18dB |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 182 B6663 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR 182 B6663-FT |
BFG540W/XR,135
NXP USA Inc.
BFP 405 H6433
Infineon Technologies
BFP 640 H6433
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BFP182WE6327HTSA1
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BFP183WE6327BTSA1
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BFP193WE6327HTSA1
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BFP405E6327BTSA1
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BFP405E6740HTSA1
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A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
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5SGXMABK2H40C2N
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LFXP2-8E-5MN132I
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EP1S40F1020C6N
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