maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFP182WE6327HTSA1
Référence fabricant | BFP182WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFP182WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFP182WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 22dB |
Puissance - Max | 250mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT343-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP182WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFP182WE6327HTSA1-FT |
PN3563_D74Z
ON Semiconductor
PN3563_D75Z
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PN5179_D26Z
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PN5179_D75Z
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PN918_D74Z
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NE696M01-T1
CEL
BFU520YF
NXP USA Inc.
BFU520YX
NXP USA Inc.
AT-32063-BLKG
Broadcom Limited
A54SX16A-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8
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10M40DAF484I6G
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5AGXBA1D4F27I5
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5SGXMABK2H40C2N
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LFXP2-8E-5MN132I
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EP1S40F1020C6N
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