maison / des produits / Résistances / Résistances à montage sur châssis / BDS2A1003R3K
Référence fabricant | BDS2A1003R3K |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BDS2A1003R3K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BDS, CGS |
BDS2A1003R3K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 3.3 Ohms |
Tolérance | ±10% |
Puissance (Watts) | 100W |
Composition | Thick Film |
Coéfficent de température | ±150ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | RF, High Frequency |
Revêtement, type de logement | Epoxy Coated |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 1.488" L x 1.000" W (37.80mm x 25.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Style de plomb | M4 Threaded |
Paquet / caisse | SOT-227-2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1003R3K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BDS2A1003R3K-FT |
THS25R47J
TE Connectivity Passive Product
THS75150RJ
TE Connectivity Passive Product
THS75220RJ
TE Connectivity Passive Product
THS75680RJ
TE Connectivity Passive Product
THS756R8J
TE Connectivity Passive Product
THS75470RJ
TE Connectivity Passive Product
THS75510RJ
TE Connectivity Passive Product
THS75100RJ
TE Connectivity Passive Product
THS1010KJ
TE Connectivity Passive Product
THS7547RJ
TE Connectivity Passive Product
XCV150-5FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP1C4F324C7N
Intel
EP2S130F1020I4
Intel